2025年6月28日下午，应我集团徐华教授邀请，华南师范大学高伟副教授在致知楼2307会议室作了题为“二维半导体GeS_1-xSe_x的合成及其范德华异质结器件调控研究”的学术报告。我集团相关专业的研究生参加了报告，报告会由徐华教授主持。

   报告中，高伟副教授介绍了二维半导体IVA-VIA族GeS、GeSe及其三元合金GeSSe合成技术的最新进展及其范德华异质结在反双极性、偏振探测等调控研究工作。

   材料的生长方面：在物理气相沉积技术领域，通过快速变温和微缝生长策略成功制备出自支撑、表面平整光滑的GeS、GeSe及其三元GeSSe纳米片，光学带隙随Se组分增大而从1.65 eV不断减小至1.14 eV, AC方向随组分保持不变，其中GeS_0.29Se_0.71器件在635 nm展现最优偏振比（4.3）为探索自支撑二维纳米片合成工艺和高效转移开辟了新路径。薄栅FET:基于此材料体系，利用合金工程和范德华堆叠策略开发出type-III GeS_1-XSe_X,/SnS，薄栅晶体管，采用合金工程实现了反双极特性的可动态调节，在低驱动电压的同时，依然保持>10³的峰谷比。光电晶体管：所制备的type-I/IIGeS_1-XSe_X/WSe₂，光电晶体管具有双向光伏响应行为和反双极性输运特性，其中GeS_0.2Se_0.8/WSe₂的光响应度、外量子效率和比探测率分别可达934.11 mA/W, 182.5%和9.11 × 10¹⁰ Jones，并且可用于传感器内动态视觉处理方案。偏振光探测功能：所制备的type-II GeS_1-XSe_X/WS₂，范德华异质结具有栅压调控偏振光探测功能，最大偏振比可达18，上述研究为低功耗商集成度逻辑反相器、类脑芯片以及原位探测技术应用奠定了基础。

   报告结束后，高伟副教授与师生就二维半导体IVA-VIA族GeS、GeSe及其三元合金GeSlSe的合成技术及其应用等问题展开深入探讨，并详细解答了师生提出的相关问题，现场学术氛围浓厚。

       报告人简介：高伟，副教授、硕士生导师，2017年7月于华南理工大学取得工学硕士学位，2019年12月于广东工业大学取得工学博士学位，博士师从半导体掺杂领域专家李京波教授，目前主要从事二维半导体的合成和性能调控研究、高性能二维光电子器件设计及其多功能应用等研究。2020年入选广东省青年优秀人才国际培养计划博士后项目，先后主持广州市青年博士“启航”项目、国家自然科学基金青年基金项目、中国博士后科学基金面上资助项目；参与广州市重点领域研究计划。2017年至今发表SCI论文共110篇，h因子为31，单篇最高引用145次，1篇年度高被引论文，其中第一/共一/通讯作者共48篇，包括Advanced Materials、Advanced Functional Materials、ACS Applied Materials & Interfaces、 Nanoscale Horizons、 ACS Photonies等；授权6项国家发明专利。